AP3404MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3404MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3404MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для AP3404MI

 

AP3404MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2396K  cn apm
 ap3404mi.pdf pdf_icon

AP3404MI

AP3404MI 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3404MI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =6A DS D R

 8.1. Size:1931K  allpower
 ap3404s.pdf pdf_icon

AP3404MI

S S S S S

 8.2. Size:1523K  allpower
 ap3404.pdf pdf_icon

AP3404MI

 8.3. Size:2067K  cn apm
 ap3404bi.pdf pdf_icon

AP3404MI

AP3404BI 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3404BI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =4.2A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MPF20N50 , AP15N04S , AP3416AI , AP4N06SI , AP50N03S , AP50N06Y , AP60N02BD , AP130N20MP , AO3407 , AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D .

 

 
Back to Top

 


 
.