AP80P01NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP80P01NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP80P01NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 769 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP80P01NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80P01NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3546K  cn apm
 ap80p01nf.pdf pdf_icon

AP80P01NF

AP80P01NF -12V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP80P01NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -12V I =-80A DS DR

Другие MOSFET... AP60N02BD , AP130N20MP , AP3404MI , AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , 8N60 , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI .

History: JMSH1202PTL | AP65N06D | IRF143 | AP3400MI

 

 
Back to Top

 


 
.