AP90N06D datasheet, аналоги, параметры транзистора

AP90N06D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP90N06D 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для AP90N06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AP90N06D даташит

..1. Size:2408K cn apm
ap90n06d.pdf pdf_icon

AP90N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =90A DS D R

7.1. Size:1413K cn apm
ap90n06p ap90n06t.pdf pdf_icon

AP90N06PIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90N06P/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =90A DS D R

7.2. Size:1327K cn apm
ap90n06f.pdf pdf_icon

AP90N06F 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90N06F uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =90A DS D R

8.1. Size:588K 1
ap90n03q.pdf pdf_icon