AP90N06D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP90N06D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP90N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 108 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP90N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP90N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2408K  cn apm
 ap90n06d.pdf pdf_icon

AP90N06D

AP90N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =90A DS DR

 8.1. Size:588K  1
 ap90n03q.pdf pdf_icon

AP90N06D

Другие MOSFET... AP3404MI , AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , IRFB31N20D , APG12N10D , AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF .

 

 
Back to Top

 


 
.