APG12N10D - аналоги и даташиты транзистора

 

APG12N10D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APG12N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для APG12N10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG12N10D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3062K  cn apm
 apg12n10d.pdf pdf_icon

APG12N10D

APG12N10D 100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG12N10D use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and unifo

Другие MOSFET... AP50N06DF , AP6G04S , AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , MMIS60R580P , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.