AP10H03DF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP10H03DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP10H03DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 126 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP10H03DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP10H03DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1882K  cn apm
 ap10h03df.pdf pdf_icon

AP10H03DF

AP10H03DF 30V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Description The AP10H03DF is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The meet the RoHS and Product requirement with full function reliability approved. General Features

 7.1. Size:1932K  cn apm
 ap10h03s.pdf pdf_icon

AP10H03DF

AP10H03S 30V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP10H03S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =10A DS DR

Другие MOSFET... AP70N03DF , AP80N08D , AP80N08NF , AP80P01NF , AP8P10S , AP90N06D , APG12N10D , AP10G04DF , P60NF06 , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , AP50P02DF , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF .

History: AP4G02LI | FDC3612

 

 
Back to Top

 


 
.