AP50P02DF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP50P02DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP50P02DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 509 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP50P02DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50P02DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2802K  cn apm
 ap50p02df.pdf pdf_icon

AP50P02DF

AP50P02DF -20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50P02DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -20V I =-50A DS D6.8m) R

 9.1. Size:164K  ape
 ap50pn520r.pdf pdf_icon

AP50P02DF

AP50PN520RHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 500VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.52 Simple Drive Requirement ID 12AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50PN520 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

Другие MOSFET... AP90N06D , APG12N10D , AP10G04DF , AP10H03DF , AP10H03S , AP15P04S , AP3400MI , AP34N20P , 60N06 , AP70H06NF , AP80N06D , AP85N03NF , AP8G04S , AP10N04S , AP15G04NF , AP220N06MP , AP2301AI .

History: 4N80G-TF3-T | AP6P04S

 

 
Back to Top

 


 
.