AP4606B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4606B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2(4.8) A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4606B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4606B даташит

 ..1. Size:998K  allpower
 ap4606b.pdf pdf_icon

AP4606B

 ..2. Size:1979K  cn apm
 ap4606b.pdf pdf_icon

AP4606B

AP4606B 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4606B uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =6.2A DS D R

 8.1. Size:200K  ape
 ap4606p.pdf pdf_icon

AP4606B

AP4606P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 3.7m Fast Switching Characteristic ID3 125A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP4606 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

 8.2. Size:1459K  allpower
 ap4606c.pdf pdf_icon

AP4606B

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP85N03NF, AP8G04S, AP10N04S, AP15G04NF, AP220N06MP, AP2301AI, AP2302AI, AP3P06MI, AOD4184A, AP4G02LI, AP8P06S, AP90N08NF, AP10G04S, AP15H06S, AP4957A, AP65N06D, AP65N06DF