AP90N08NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP90N08NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP90N08NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 546 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP90N08NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP90N08NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1744K  cn apm
 ap90n08nf.pdf pdf_icon

AP90N08NF

AP90N08NF 85V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90N08NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 85V I =95A DS DR

 8.1. Size:588K  1
 ap90n03q.pdf pdf_icon

AP90N08NF

 8.2. Size:2408K  cn apm
 ap90n06d.pdf pdf_icon

AP90N08NF

AP90N06D 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90N06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =90A DS DR

Другие MOSFET... AP15G04NF , AP220N06MP , AP2301AI , AP2302AI , AP3P06MI , AP4606B , AP4G02LI , AP8P06S , 5N50 , AP10G04S , AP15H06S , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S , AP6P04S , AP8G06S .

History: AP4G02LI | AP90N06D

 

 
Back to Top

 


 
.