APG120N04NF - аналоги и даташиты транзистора

 

APG120N04NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APG120N04NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1119 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для APG120N04NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG120N04NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2679K  cn apm
 apg120n04nf.pdf pdf_icon

APG120N04NF

APG120N04NF 40V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG120N04NF use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and un

 9.1. Size:3062K  cn apm
 apg12n10d.pdf pdf_icon

APG120N04NF

APG12N10D 100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG12N10D use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and unifo

Другие MOSFET... AP10G04S , AP15H06S , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S , AP6P04S , AP8G06S , IRF540 , APG60N10S , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.