APG60N10S - аналоги и даташиты транзистора

 

APG60N10S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APG60N10S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 305 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для APG60N10S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG60N10S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2069K  cn apm
 apg60n10s.pdf pdf_icon

APG60N10S

APG60N10S 100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG60N10S use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and unifo

Другие MOSFET... AP15H06S , AP4957A , AP65N06D , AP65N06DF , AP6G03S , AP6P04S , AP8G06S , APG120N04NF , 50N06 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.