APJ30N65P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: APJ30N65P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 30.3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для APJ30N65P
APJ30N65P Datasheet (PDF)
apj30n65f apj30n65p apj30n65t ap65r340.pdf
APJ30N65FIPIT (AP65R340) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ30N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type740V
Другие MOSFET... AP65N06DF , AP6G03S , AP6P04S , AP8G06S , APG120N04NF , APG60N10S , AP65R650 , APJ30N65F , IRFZ44 , APJ30N65T , APJ50N65F , APJ50N65P , APJ50N65T , AP65R190 , APN9N50D , APJ14N65D , APJ14N65F .
History: H5N5005PL | DMP2104V | IRFZ48RPBF | AOUS66414 | HM40N15KA
History: H5N5005PL | DMP2104V | IRFZ48RPBF | AOUS66414 | HM40N15KA
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM1030MA | AGM1010A-F | AGM1010A-E | AGM1010A2 | AGM08T15C | AGM085N10F | AGM085N10C1 | AGM085N10C | AGM065N10D | AGM065N10C | AGM056N10H | AGM056N10C | AGM056N10A | AGM056N08C | AGM042N10D | AGM10N15D
Popular searches
2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet


