APJ30N65P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APJ30N65P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.34 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APJ30N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APJ30N65P даташит

 ..1. Size:1551K  cn apm
 apj30n65f apj30n65p apj30n65t ap65r340.pdf pdf_icon

APJ30N65P

APJ30N65FIPIT (AP65R340) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ30N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 740V

Другие IGBT... AP65N06DF, AP6G03S, AP6P04S, AP8G06S, APG120N04NF, APG60N10S, AP65R650, APJ30N65F, IRFP460, APJ30N65T, APJ50N65F, APJ50N65P, APJ50N65T, AP65R190, APN9N50D, APJ14N65D, APJ14N65F