APJ14N65T - аналоги и даташиты транзистора

 

APJ14N65T - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APJ14N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для APJ14N65T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APJ14N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1818K  cn apm
 apj14n65f apj14n65p apj14n65t ap65r650.pdf pdf_icon

APJ14N65T

APJ14N65FIPIT (AP65R650) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ14N65F/P/T is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type730V

 6.1. Size:1921K  cn apm
 apj14n65d ap65r650.pdf pdf_icon

APJ14N65T

APJ14N65D (AP65R650) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ14N65D is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type730V IDM

Другие MOSFET... APJ50N65F , APJ50N65P , APJ50N65T , AP65R190 , APN9N50D , APJ14N65D , APJ14N65F , APJ14N65P , P55NF06 , , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.