APG80N10NF - аналоги и даташиты транзистора

 

APG80N10NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APG80N10NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для APG80N10NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG80N10NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1506K  cn apm
 apg80n10nf.pdf pdf_icon

APG80N10NF

APG80N10NF 100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG80N10NF use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uni

 6.1. Size:1170K  cn apm
 apg80n10p apg80n10t.pdf pdf_icon

APG80N10NF

APG80N10PIT 100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG80N10P/T use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and u

Другие MOSFET... AP100N03T , AP100N03Y , AP100N04D , AP100N04NF , AP100N08D , AP100P02NF , APG60N10P , APG60N10T , K4145 , APG80N10P , APG80N10T , APJ10N65D , AP65R950 , APJ10N65F , APJ10N65T , APJ10N65P , AP100P03D .

 

 
Back to Top

 


 
.