APG80N10NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG80N10NF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 135 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG80N10NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG80N10NF даташит

 ..1. Size:1506K  cn apm
 apg80n10nf.pdf pdf_icon

APG80N10NF

APG80N10NF 100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG80N10NF use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and uni

 6.1. Size:1170K  cn apm
 apg80n10p apg80n10t.pdf pdf_icon

APG80N10NF

APG80N10PIT 100V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG80N10P/T use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and u

Другие IGBT... AP100N03T, AP100N03Y, AP100N04D, AP100N04NF, AP100N08D, AP100P02NF, APG60N10P, APG60N10T, IRF1010E, APG80N10P, APG80N10T, APJ10N65D, AP65R950, APJ10N65F, APJ10N65T, APJ10N65P, AP100P03D