APJ10N65T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APJ10N65T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 13.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APJ10N65T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APJ10N65T даташит

 ..1. Size:1554K  cn apm
 apj10n65f apj10n65t apj10n65p ap65r950.pdf pdf_icon

APJ10N65T

APJ10N65FITIP (AP65R950) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ10N65F/T/P is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 730V

 6.1. Size:1579K  cn apm
 apj10n65d ap65r950.pdf pdf_icon

APJ10N65T

APJ10N65D (AP65R950) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ10N65D is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ10N65D is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 720V IDM =10A

Другие IGBT... APG60N10P, APG60N10T, APG80N10NF, APG80N10P, APG80N10T, APJ10N65D, AP65R950, APJ10N65F, AO3401, APJ10N65P, AP100P03D, AP100P04D, AP10G03S, AP10G06NF, AP10G06S, AP10H04DF, AP10H10S