APJ10N65T - описание и поиск аналогов

 

Аналоги APJ10N65T. Основные параметры


   Наименование производителя: APJ10N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для APJ10N65T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APJ10N65T даташит

 ..1. Size:1554K  cn apm
 apj10n65f apj10n65t apj10n65p ap65r950.pdf pdf_icon

APJ10N65T

APJ10N65FITIP (AP65R950) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ10N65F/T/P is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ14N65F/P/T is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 730V

 6.1. Size:1579K  cn apm
 apj10n65d ap65r950.pdf pdf_icon

APJ10N65T

APJ10N65D (AP65R950) 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APJ10N65D is CoolFET II MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. APJ10N65D is suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency General Features V = 650V Type 720V IDM =10A

Другие MOSFET... APG60N10P , APG60N10T , APG80N10NF , APG80N10P , APG80N10T , APJ10N65D , AP65R950 , APJ10N65F , 4435 , APJ10N65P , AP100P03D , AP100P04D , AP10G03S , AP10G06NF , AP10G06S , AP10H04DF , AP10H10S .

 

 
Back to Top

 


 
.