APG130N06T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG130N06T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 168 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG130N06T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG130N06T даташит

 ..1. Size:2025K  cn apm
 apg130n06p apg130n06t apg130n06f.pdf pdf_icon

APG130N06T

 5.1. Size:1366K  cn apm
 apg130n06d.pdf pdf_icon

APG130N06T

APG130N06D 60V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG130N06D use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and unif

 5.2. Size:1984K  cn apm
 apg130n06nf.pdf pdf_icon

APG130N06T

APG130N06NF 60V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG130N06NF use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and un

Другие IGBT... AP10N06MSI, APG40N10D, APG40N10DF, APG40N10NF, APG40N10S, APG60N10D, APG60N10NF, APG130N06P, CS150N04A8, APG130N06F, APG180N04NF, APG20N06S, AP10N06S, AP10N10D, AP10N10S, AP10N15D, AP10N65F