APG180N04NF - аналоги и даташиты транзистора

 

APG180N04NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APG180N04NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для APG180N04NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG180N04NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1472K  cn apm
 apg180n04nf.pdf pdf_icon

APG180N04NF

APG180N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APG180N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =180A DS DR

Другие MOSFET... APG40N10DF , APG40N10NF , APG40N10S , APG60N10D , APG60N10NF , APG130N06P , APG130N06T , APG130N06F , IRFP250 , APG20N06S , AP10N06S , AP10N10D , AP10N10S , AP10N15D , AP10N65F , AP10N65P , AP10P04D .

 

 
Back to Top

 


 
.