APG180N04NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG180N04NF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG180N04NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG180N04NF даташит

 ..1. Size:1472K  cn apm
 apg180n04nf.pdf pdf_icon

APG180N04NF

APG180N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APG180N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =180A DS D R

Другие IGBT... APG40N10DF, APG40N10NF, APG40N10S, APG60N10D, APG60N10NF, APG130N06P, APG130N06T, APG130N06F, IRFP450, APG20N06S, AP10N06S, AP10N10D, AP10N10S, AP10N15D, AP10N65F, AP10N65P, AP10P04D