APG20N06S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG20N06S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 199.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG20N06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG20N06S даташит

 ..1. Size:1345K  cn apm
 apg20n06s.pdf pdf_icon

APG20N06S

APG20N06S 60V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG20N06S use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and unifor

Другие IGBT... APG40N10NF, APG40N10S, APG60N10D, APG60N10NF, APG130N06P, APG130N06T, APG130N06F, APG180N04NF, 10N65, AP10N06S, AP10N10D, AP10N10S, AP10N15D, AP10N65F, AP10N65P, AP10P04D, AP10P06MSI