APG20N06S - аналоги и даташиты транзистора

 

APG20N06S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APG20N06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 199.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для APG20N06S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG20N06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1345K  cn apm
 apg20n06s.pdf pdf_icon

APG20N06S

APG20N06S 60V N-SGT Enhancement Mode MOSFET General Description APG20N06S use advanced SGT MOSFET technology to provide low RDS(ON), low gate charge, fast switching and excellent avalanche characteristics. This device is specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Features Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Excellent stability and unifor

Другие MOSFET... APG40N10NF , APG40N10S , APG60N10D , APG60N10NF , APG130N06P , APG130N06T , APG130N06F , APG180N04NF , RFP50N06 , AP10N06S , AP10N10D , AP10N10S , AP10N15D , AP10N65F , AP10N65P , AP10P04D , AP10P06MSI .

 

 
Back to Top

 


 
.