AP120N04P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP120N04P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 528 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP120N04P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP120N04P даташит

 ..1. Size:1322K  cn apm
 ap120n04p ap120n04t.pdf pdf_icon

AP120N04P

AP120N04PIT 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N04P/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =120 A DS D R

 6.1. Size:680K  allpower
 ap120n04k.pdf pdf_icon

AP120N04P

 6.2. Size:1486K  cn apm
 ap120n04d.pdf pdf_icon

AP120N04P

AP120N04D 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N04D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =120 A DS D R

 6.3. Size:1545K  cn apm
 ap120n04t.pdf pdf_icon

AP120N04P

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP10N10D, AP10N10S, AP10N15D, AP10N65F, AP10N65P, AP10P04D, AP10P06MSI, AP10P10D, K4145, AP120N04T, AP120N06P, AP120N06T, AP120N08P, AP120N08T, AP12N40F, AP12N40P, AP12N65F