AP150N03T - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP150N03T. Основные параметры


   Наименование производителя: AP150N03T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для AP150N03T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP150N03T даташит

 ..1. Size:910K  cn apm
 ap150n03p ap150n03t.pdf pdf_icon

AP150N03T

AP150N03PIT 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP150N03P/T uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =150 A DS D R

 6.1. Size:534K  allpower
 ap150n03q.pdf pdf_icon

AP150N03T

 6.2. Size:588K  allpower
 ap150n03g.pdf pdf_icon

AP150N03T

 6.3. Size:838K  cn apm
 ap150n03d.pdf pdf_icon

AP150N03T

AP150N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP150N03D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =150 A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP120N06T , AP120N08P , AP120N08T , AP12N40F , AP12N40P , AP12N65F , AP12N65P , AP150N03P , 7N60 , AP150N10P , AP150N10T , AP160N04P , AP160N04T , AP160N08P , AP160N08T , AP160N10P , AP160N10T .

History: AP12N40F | AP150N10P | AP160N10P | AP12N65P | AP30P03DF | AP30P10P | AP120N03NF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.