AP150N10P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP150N10P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 148 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 645 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP150N10P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP150N10P даташит

 ..1. Size:1593K  cn apm
 ap150n10p ap150n10t.pdf pdf_icon

AP150N10P

AP150N10PIT 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP150N10P/T uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 10V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =150A DS D R

 8.1. Size:534K  allpower
 ap150n03q.pdf pdf_icon

AP150N10P

 8.2. Size:588K  allpower
 ap150n03g.pdf pdf_icon

AP150N10P

 8.3. Size:838K  cn apm
 ap150n03d.pdf pdf_icon

AP150N10P

AP150N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP150N03D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =150 A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP120N08P, AP120N08T, AP12N40F, AP12N40P, AP12N65F, AP12N65P, AP150N03P, AP150N03T, IRFZ24N, AP150N10T, AP160N04P, AP160N04T, AP160N08P, AP160N08T, AP160N10P, AP160N10T, AP180N03P