AP4N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4N65F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N65F даташит

 ..1. Size:1220K  cn apm
 ap4n65f ap4n65p.pdf pdf_icon

AP4N65F

AP4N65FIP 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4N65F/P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Ge

 8.1. Size:1753K  cn apm
 ap4n65d ap4n65y.pdf pdf_icon

AP4N65F

AP4N65DIY 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP4N65D/Y is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system General Features VDS =650V,ID =4A RDS(

Другие IGBT... AP30N06T, AP40N20P, AP40N20T, AP45P06F, AP45P06P, AP45P06T, AP4N65D, AP4N65Y, IRLZ44N, AP4N65P, AP50N06BD, AP50N06BY, AP50N06P, AP50N06T, AP50P06P, AP50P06T, AP5G03S