AP5G03DF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP5G03DF. Основные параметры


   Наименование производителя: AP5G03DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8(7.2) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2(10.8) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02(0.048) Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP5G03DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5G03DF даташит

 ..1. Size:1090K  cn apm
 ap5g03s ap5g03df.pdf pdf_icon

AP5G03DF

AP5G03SIDF 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5G03S/DF uses advanced trench technology to provide excellent R and low gate charge . DS(ON) The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications General Features N-Channel V = 30V,I =8A DS D R

Другие MOSFET... AP4N65P , AP50N06BD , AP50N06BY , AP50N06P , AP50N06T , AP50P06P , AP50P06T , AP5G03S , IRFB4115 , AP5N50F , AP5N50P , AP5N50T , AP60N03F , AP60N03T , AP60N03P , AP70P03P , AP70P03T .

History: IXFN73N30

 

 

 


 
↑ Back to Top
.