AP7N65P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP7N65P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 101 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP7N65P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP7N65P даташит

 ..1. Size:1769K  cn apm
 ap7n65f ap7n65p.pdf pdf_icon

AP7N65P

AP7N65FIP 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7N65F/P is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Ge

 8.1. Size:1853K  cn apm
 ap7n65d ap7n65y.pdf pdf_icon

AP7N65P

AP7N65DIY 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7N65D/Y is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Ge

Другие IGBT... AP60N03F, AP60N03T, AP60N03P, AP70P03P, AP70P03T, AP7N65D, AP7N65Y, AP7N65F, IRF1010E, AP80N07P, AP80N07T, AP80N10P, AP80N10T, AP80P06P, AP80P06T, AP80P10P, AP80P10T