AP120N03NF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги AP120N03NF. Основные параметры


   Наименование производителя: AP120N03NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP120N03NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP120N03NF даташит

 ..1. Size:1444K  cn apm
 ap120n03nf.pdf pdf_icon

AP120N03NF

AP120N03NF 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =120A DS D R

 6.1. Size:578K  allpower
 ap120n03.pdf pdf_icon

AP120N03NF

 6.2. Size:1631K  allpower
 ap120n03k.pdf pdf_icon

AP120N03NF

 6.3. Size:1481K  cn apm
 ap120n03d.pdf pdf_icon

AP120N03NF

AP120N03D 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP120N03D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =120A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP90N06P , AP90N06T , AP9N90F , AP9N90P , AP9N90T , AP110N04D , AP120N02D , AP120N03D , NCEP15T14 , AP120N04D , AP120N08NF , AP120N10NF , AP120P03D , AP12N06S , AP12N10Y , AP12P04S , AP13P06D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.