AP12P04S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP12P04S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP12P04S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP12P04S даташит

 ..1. Size:1680K  cn apm
 ap12p04s.pdf pdf_icon

AP12P04S

AP12P04S -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP12P04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-12A DS D R

Другие IGBT... AP120N03D, AP120N03NF, AP120N04D, AP120N08NF, AP120N10NF, AP120P03D, AP12N06S, AP12N10Y, IRFP250, AP13P06D, AP13P06Y, AP13P20D, AP30P03DF, AP30P06D, AP30P10P, AP320N04TLG5, AP3400AI