AP12P04S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP12P04S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP12P04S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP12P04S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP12P04S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1680K  cn apm
 ap12p04s.pdf pdf_icon

AP12P04S

AP12P04S -40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP12P04S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -40V I =-12A DS DR

Другие MOSFET... AP120N03D , AP120N03NF , AP120N04D , AP120N08NF , AP120N10NF , AP120P03D , AP12N06S , AP12N10Y , 2SK3568 , AP13P06D , AP13P06Y , AP13P20D , , , , , .

History: AP13P06D

 

 
Back to Top

 


 
.