AP30P06D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP30P06D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 224 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP30P06D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30P06D даташит

 ..1. Size:1655K  cn apm
 ap30p06d.pdf pdf_icon

AP30P06D

AP30P06D -60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P06D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-30A DS D R

 7.1. Size:592K  allpower
 ap30p06.pdf pdf_icon

AP30P06D

 7.2. Size:680K  allpower
 ap30p06k.pdf pdf_icon

AP30P06D

 8.1. Size:1462K  cn apm
 ap30p03df.pdf pdf_icon

AP30P06D

AP30P03DF 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P03DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-30A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP120P03D, AP12N06S, AP12N10Y, AP12P04S, AP13P06D, AP13P06Y, AP13P20D, AP30P03DF, TK10A60D, AP30P10P, AP320N04TLG5, AP3400AI, AP3400BI, AP3400CI, AP3400DI, AP3400MI-L, AP3401AI