AP30P10P - аналоги и даташиты транзистора

 

AP30P10P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP30P10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP30P10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30P10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1439K  cn apm
 ap30p10p.pdf pdf_icon

AP30P10P

AP30P10D -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30P10P uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-30A DS DR

 7.1. Size:93K  ape
 ap30p10gs.pdf pdf_icon

AP30P10P

AP30P10GSRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance

 7.2. Size:94K  ape
 ap30p10gs-hf.pdf pdf_icon

AP30P10P

AP30P10GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

 7.3. Size:151K  ape
 ap30p10gi.pdf pdf_icon

AP30P10P

AP30P10GIRoHS-compliant ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge D BVDSS -100V Simple Drive Requirement RDS(ON) 80m Fast Switching Characteristic ID -25AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedized device design, low on-resistance

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP12N06S , AP12N10Y , AP12P04S , AP13P06D , AP13P06Y , AP13P20D , AP30P03DF , AP30P06D , IRF2807 , AP320N04TLG5 , AP3400AI , AP3400BI , AP3400CI , AP3400DI , AP3400MI-L , AP3401AI , AP3401MI .

History: 2SK3567

 

 
Back to Top

 


 
.