AP3400AI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3400AI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 84 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3400AI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3400AI даташит

 ..1. Size:2266K  cn apm
 ap3400ai.pdf pdf_icon

AP3400AI

AP3400AI 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3400AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =5.8A DS D R

 8.1. Size:1869K  allpower
 ap3400.pdf pdf_icon

AP3400AI

 8.2. Size:1290K  allpower
 ap3400s.pdf pdf_icon

AP3400AI

 8.3. Size:1265K  cn apm
 ap3400mi-l.pdf pdf_icon

AP3400AI

AP3400MI-L 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3400MI-LI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =5.8A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP12P04S, AP13P06D, AP13P06Y, AP13P20D, AP30P03DF, AP30P06D, AP30P10P, AP320N04TLG5, 4N60, AP3400BI, AP3400CI, AP3400DI, AP3400MI-L, AP3401AI, AP3401MI, AP3404BI, AP3407AI