AP3407AI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3407AI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3407AI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3407AI даташит

 ..1. Size:1507K  cn apm
 ap3407ai.pdf pdf_icon

AP3407AI

AP3407AI -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3407AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-4.2A DS D R

 8.1. Size:2028K  allpower
 ap3407.pdf pdf_icon

AP3407AI

 8.2. Size:1473K  allpower
 ap3407s.pdf pdf_icon

AP3407AI

 8.3. Size:1316K  cn apm
 ap3407mi.pdf pdf_icon

AP3407AI

AP3407MI -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3407MI uses advanced Trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-4.8A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP3400AI, AP3400BI, AP3400CI, AP3400DI, AP3400MI-L, AP3401AI, AP3401MI, AP3404BI, SKD502T, AP3407MI, AP3409MI, AP90N06F, AP90P01D, AP90P03NF, AP9435A, AP9926A, AP9928A