AP3407MI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3407MI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3407MI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP3407MI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3407MI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1316K  cn apm
 ap3407mi.pdf pdf_icon

AP3407MI

AP3407MI -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3407MI uses advanced Trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-4.8A DS DR

 8.1. Size:2028K  allpower
 ap3407.pdf pdf_icon

AP3407MI

 8.2. Size:1473K  allpower
 ap3407s.pdf pdf_icon

AP3407MI

AP3407S / Descriptions SOT23-3 P MOS P- CHANNEL MOSFET in a SOT23-3 Plastic Package. / Features VDS (V) = -30V ID = -4.1 A RDS(ON)

 8.3. Size:1507K  cn apm
 ap3407ai.pdf pdf_icon

AP3407MI

AP3407AI -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3407AI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-4.2A DS DR

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3400BI , AP3400CI , AP3400DI , AP3400MI-L , AP3401AI , AP3401MI , AP3404BI , AP3407AI , MMIS60R580P , AP3409MI , , , , , , , .

History: 3N60A | AP3401MI

 

 
Back to Top

 


 
.