AP90P03NF datasheet, аналоги, параметры транзистора

AP90P03NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP90P03NF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 769 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для AP90P03NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AP90P03NF даташит

..1. Size:1053K cn apm
ap90p03nf.pdf pdf_icon

AP90P03NF -30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP90P03NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -30V I =-90A DS D R

7.1. Size:647K 1
ap90p03g.pdf pdf_icon