AP9N20D datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: AP9N20D 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO252
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для AP9N20D
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP9N20D даташит
ap9n20d.pdf
AP9N20D 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N20D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera
ap9n20p.pdf
AP9N20P 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N20D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera
ap9n20y.pdf
AP9N20Y 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9N20Y is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera
Другие IGBT... AP3407MI, AP3409MI, AP90N06F, AP90P01D, AP90P03NF, AP9435A, AP9926A, AP9928A, AO4468, AP9N20P, AP9N20Y, AP9P20D, APG100N10D, APG110N10NF, APG120N10NF, APG120N12NF, APG130N06D
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CEZC2P07 | CEZ2R05 | CEU3133 | CES2361 | CES2312A | CEP100N10L | CEM3425 | CEM3139 | CEM3133 | CEM3115 | CED3133 | CEC3257 | CEC2533 | CEB100N10L | BC3134KT | BC3134K
Popular searches
2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883




