AP9P20D - аналоги и даташиты транзистора

 

AP9P20D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP9P20D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP9P20D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9P20D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2338K  cn apm
 ap9p20d.pdf pdf_icon

AP9P20D

AP9P20D 200V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP9P20D is silicon P-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera

Другие MOSFET... AP90P01D , AP90P03NF , AP9435A , AP9926A , AP9928A , AP9N20D , AP9N20P , AP9N20Y , MMD60R360PRH , APG100N10D , APG110N10NF , APG120N10NF , APG120N12NF , APG130N06D , APG130N06NF , , .

History: APG100N10D | 2SK3053

 

 
Back to Top

 


 
.