APG100N10D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: APG100N10D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 605 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для APG100N10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APG100N10D даташит

 ..1. Size:1412K  cn apm
 apg100n10d.pdf pdf_icon

APG100N10D

APG100N10D 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The APG100N10D uses advanced APM-SGT technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =100A DS D R

Другие IGBT... AP90P03NF, AP9435A, AP9926A, AP9928A, AP9N20D, AP9N20P, AP9N20Y, AP9P20D, 8N65, APG110N10NF, APG120N10NF, APG120N12NF, APG130N06D, APG130N06NF, AP7P15D, AP7P15Y, AP80N02DF