DMS3016SSSA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMS3016SSSA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1849 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для DMS3016SSSA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMS3016SSSA даташит

 ..1. Size:157K  diodes
dms3016sssa.pdfpdf_icon

DMS3016SSSA

DMS3016SSSA N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically Case SO-8 integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Low RDS(ON) - minimizes conduction losses UL Flammability Classification Rating 94V-0

 4.1. Size:161K  diodes
dms3016sss.pdfpdf_icon

DMS3016SSSA

DMS3016SSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Features Mechanical Data DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically Case SO-8 integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. Low RDS(ON) - minimizes conduction losses UL Flammability Classification Rating 94V-0

 7.1. Size:555K  fairchild semi
fdms3016dc.pdfpdf_icon

DMS3016SSSA

July 2013 FDMS3016DC N-Channel Dual CoolTM PowerTrench MOSFET 30 V, 49 A, 6.0 m Features General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 6.0 m at VGS = 10 V, ID = 12 A Advancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 9.0 m at VGS

 8.1. Size:192K  diodes
dms3012sfg.pdfpdf_icon

DMS3016SSSA

DMS3012SFG 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE POWERDI Product Summary Features DIOFET utilizes a unique patented process to monolithically ID V(BR)DSS RDS(ON) Package integrate a MOSFET and a Schottky in a single die to deliver TA = +25 C Low RDS(ON) minimize conduction losses 10m @ VGS = 10V 12A Low VSD reducing the losses due to bo

Другие IGBT... DMN3404L, DMN3730U, DMN3730UFB, DMN3730UFB4, DMN4468LSS, DMN4800LSS, DMN4800LSSL, DMS3016SFG, IRFB31N20D, ZXM61N03F, ZXM62N03G, ZXMD63N03X, ZXMN3A01E6, ZXMN3A01F, ZXMN3A02N8, ZXMN3A02X8, ZXMN3A03E6