AP7P15Y datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP7P15Y  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP7P15Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP7P15Y даташит

 ..1. Size:1368K  cn apm
 ap7p15y.pdf pdf_icon

AP7P15Y

AP7P15Y -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15Y uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS D R

 8.1. Size:1317K  cn apm
 ap7p15d.pdf pdf_icon

AP7P15Y

AP7P15D -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS D R

Другие IGBT... AP9P20D, APG100N10D, APG110N10NF, APG120N10NF, APG120N12NF, APG130N06D, APG130N06NF, AP7P15D, IRF830, AP80N02DF, AP80N02NF, AP80N03D, AP80N03DF, AP80N03NF, AP80N04D, AP80N04DF, AP80N06NF