AP7P15Y - аналоги и даташиты транзистора

 

AP7P15Y - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP7P15Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.78 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для AP7P15Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP7P15Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1368K  cn apm
 ap7p15y.pdf pdf_icon

AP7P15Y

AP7P15Y -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15Y uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS DR

 8.1. Size:1317K  cn apm
 ap7p15d.pdf pdf_icon

AP7P15Y

AP7P15D -150V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7P15D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -150V I =-7A DS DR

Другие MOSFET... AP9P20D , APG100N10D , APG110N10NF , APG120N10NF , APG120N12NF , APG130N06D , APG130N06NF , AP7P15D , BS170 , AP80N02DF , AP80N02NF , AP80N03D , AP80N03DF , AP80N03NF , AP80N04D , AP80N04DF , AP80N06NF .

History: AUIRL3705NS

 

 
Back to Top

 


 
.