ZXM62N03G - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

ZXM62N03G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: ZXM62N03G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для ZXM62N03G

ZXM62N03G Datasheet (PDF)

..1. Size:152K diodes
zxm62n03g.pdf

ZXM62N03G30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV(BR)DSS = 30V: RDS(on) = 0.11 : ID = 4.7ADESCRIPTIONThis new generation of High Density MOSFETs from Zetex utilises a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power managementapplications.SOT223FEATURES Low on-resist

0.1. Size:150K zetex
zxm62n03gta.pdf

6.1. Size:147K zetex
zxm62n03e6ta.pdf

ZXM62N03E630V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV =30V; R =0.11 ; I =3.2A(BR)DSS DS(ON) DDESCRIPTIONThis new generation of high density MOSFETs from Zetex utilise a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.SOT23-6FEATURES Low on-r

7.1. Size:186K diodes
zxm62n02e6.pdf

ZXM62N02E620V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETSUMMARYV =20V; R = 0.1 ; I =3.2A(BR)DSS DS(ON) DDESCRIPTIONThis new generation of high density MOSFETs from Zetex utilise a uniquestructure that combines the benefits of low on-resistance with fast switchingspeed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, powermanagement applications.SOT23-6FEATURES Low on-r

7.2. Size:153K diodes
zxm62n02e6 2n02sot23-6.pdf