AP2302CI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2302CI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для AP2302CI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2302CI даташит

 ..1. Size:1763K  cn apm
 ap2302ci.pdf pdf_icon

AP2302CI

AP2302CI 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2302CI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 20V I =2.3A DS D R

 8.1. Size:96K  ape
 ap2302gn-hf.pdf pdf_icon

AP2302CI

AP2302GN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V gate drive BVDSS 20V Small package outline D RDS(ON) 85m Surface mount package ID 3.2A RoHS Compliant S SOT-23 G Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, D low on-resistanc

 8.2. Size:91K  ape
 ap2302n-hf.pdf pdf_icon

AP2302CI

AP2302N-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 64m Surface Mount Package ID 3.2A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resista

 8.3. Size:176K  ape
 ap2302agn.pdf pdf_icon

AP2302CI

AP2302AGN-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 42m Surface Mount Package ID 4.6A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G D Description AP2302A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP15N10S, AP15N10Y, AP15N12D, AP15P04D, AP15P06D, AP2300AI, AP2300MI, AP2301BI, IRF630, AP2305AI, AP2305BI, AP2305MI, AP2307AI, AP2307MI, AP2311AI, AP2311MI, AP2312AI