AP50G03GD - аналоги и даташиты транзистора

 

AP50G03GD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP50G03GD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
 

 Аналог (замена) для AP50G03GD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50G03GD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1819K  cn apm
 ap50g03gd.pdf pdf_icon

AP50G03GD

AP50G03GD 30V N+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50G03GD uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 30V I =52A DS DR

 9.1. Size:95K  ape
 ap50g60sw.pdf pdf_icon

AP50G03GD

AP50G60SWRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 45A Low Saturation VoltageVCE(sat),Typ.=2.6V@IC=33A CG Built-in Fast Recovery DiodeC TO-3PGEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter Vo

 9.2. Size:95K  ape
 ap50g60w-hf.pdf pdf_icon

AP50G03GD

AP50G60W-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesC High Speed Switching VCES 600V Low Saturation Voltage IC 40AVCE(sat),Typ.=2.5V@IC=40A RoHS Compliant & Halogen-FreeGCCTO-3PGEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitter Voltage 600 VVGE Gate-Emitter

 9.3. Size:96K  ape
 ap50g60sw-hf.pdf pdf_icon

AP50G03GD

AP50G60SW-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL INSULATED GATEElectronics Corp. BIPOLAR TRANSISTORFeaturesVCES 600VC High Speed Switching IC 45A Low Saturation VoltageVCE(sat),Typ.=2.6V@IC=33A CG Built-in Fast Recovery DiodeC TO-3PG RoHS Compliant & Halogen-FreeEEAbsolute Maximum RatingsSymbol Parameter Rating UnitsVCES Collector-Emitte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2311MI , AP2312AI , AP2312MI , AP2313MI , AP2320MI , AP4N10MI , AP4N15MI , AP4P05MI , K4145 , AP50H06NF , AP50N03AD , AP50N03D , AP50N03DF , AP50N04D , AP50N05D , AP50N06D , AP50N06NF .

History: IRF3205LPBF | 2SK346 | 2N90L-TA3-T | AP9922GEO | AP9938AGEY | BSZ017NE2LS5I

 

 
Back to Top

 


 
.