AP50H06NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP50H06NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP50H06NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP50H06NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50H06NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1519K  cn apm
 ap50h06nf.pdf pdf_icon

AP50H06NF

AP50H06NF 60V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50H06NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =50A DS DR

Другие MOSFET... AP2312AI , AP2312MI , AP2313MI , AP2320MI , AP4N10MI , AP4N15MI , AP4P05MI , AP50G03GD , 13N50 , AP50N03AD , AP50N03D , AP50N03DF , AP50N04D , AP50N05D , AP50N06D , AP50N06NF , AP50N10D .

History: SVT085R5NKL | 2SJ603-Z

 

 
Back to Top

 


 
.