AP50H06NF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP50H06NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для AP50H06NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50H06NF даташит

 ..1. Size:1519K  cn apm
 ap50h06nf.pdf pdf_icon

AP50H06NF

AP50H06NF 60V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP50H06NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 60V I =50A DS D R

Другие IGBT... AP2312AI, AP2312MI, AP2313MI, AP2320MI, AP4N10MI, AP4N15MI, AP4P05MI, AP50G03GD, 13N50, AP50N03AD, AP50N03D, AP50N03DF, AP50N04D, AP50N05D, AP50N06D, AP50N06NF, AP50N10D