AP8V06S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP8V06S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для AP8V06S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8V06S даташит

 ..1. Size:1723K  cn apm
 ap8v06s.pdf pdf_icon

AP8V06S

AP8V06S -60V P+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8V06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-8A DS D R

Другие IGBT... AP8814A, AP8H04DF, AP8H04S, AP8H06S, AP8N06SI, AP8N10MI, AP8P04MI, AP8P04S, SI2302, AP90N02D, AP90N02NF, AP15P06DF, AP15P10D, AP16P01BF, AP16P02S, AP180N03D, AP180N04NF