AP8V06S - аналоги и даташиты транзистора

 

AP8V06S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP8V06S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для AP8V06S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP8V06S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1723K  cn apm
 ap8v06s.pdf pdf_icon

AP8V06S

AP8V06S -60V P+P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP8V06S uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -60V I =-8A DS DR

Другие MOSFET... AP8814A , AP8H04DF , AP8H04S , AP8H06S , AP8N06SI , AP8N10MI , AP8P04MI , AP8P04S , 2N60 , AP90N02D , AP90N02NF , , , , , , .

History: AP8P04S

 

 
Back to Top

 


 
.