AP200N04NF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP200N04NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1930 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для AP200N04NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP200N04NF даташит

 ..1. Size:1438K  cn apm
 ap200n04nf.pdf pdf_icon

AP200N04NF

AP200N04NF 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP200N04NF uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =200A DS D R

 6.1. Size:1742K  allpower
 ap200n04.pdf pdf_icon

AP200N04NF

 6.2. Size:1738K  allpower
 ap200n04d.pdf pdf_icon

AP200N04NF

 6.3. Size:1341K  cn apm
 ap200n04tlg5.pdf pdf_icon

AP200N04NF

AP200N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP200N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =200A DS D R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP16P01BF, AP16P02S, AP180N03D, AP180N04NF, AP180N10MP, AP18N03D, AP18P20P, AP1N10I, IRFB31N20D, AP200N04TLG5, AP200N10MP, AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, AP280N10MP, AP2N20MI, AP2N30MI