AP300N04TLG5 - аналоги и даташиты транзистора

 

AP300N04TLG5 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP300N04TLG5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1510 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TOLLA-8L
 

 Аналог (замена) для AP300N04TLG5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP300N04TLG5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1518K  cn apm
 ap300n04tlg5.pdf pdf_icon

AP300N04TLG5

AP300N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP300N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =300A DS DR

Другие MOSFET... AP200N15MP , AP200N15TLG1 , AP20G03GD , AP280N10MP , AP2N20MI , AP2N30MI , AP2N7002A , AP2P15MI , K2611 , AP30G03GD , AP30H04DF , AP30H04NF , AP30N02D , AP30N03DF , AP30N06D , AP30N06DF , AP30N06Y .

History: 2SJ279S | AP9477GM | 2SJ417

 

 
Back to Top

 


 
.