AP300N04TLG5. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP300N04TLG5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 300 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: TOLLA-8L

Аналог (замена) для AP300N04TLG5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP300N04TLG5 даташит

 ..1. Size:1518K  cn apm
 ap300n04tlg5.pdf pdf_icon

AP300N04TLG5

AP300N04TLG5 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP300N04TLG5 uses advanced APM-SGT V technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =300A DS D R

 9.1. Size:1130K  allpower
 ap3003.pdf pdf_icon

AP300N04TLG5

 9.2. Size:621K  allpower
 ap3002s.pdf pdf_icon

AP300N04TLG5

 9.3. Size:574K  allpower
 ap3004s.pdf pdf_icon

AP300N04TLG5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP200N15MP, AP200N15TLG1, AP20G03GD, AP280N10MP, AP2N20MI, AP2N30MI, AP2N7002A, AP2P15MI, K2611, AP30G03GD, AP30H04DF, AP30H04NF, AP30N02D, AP30N03DF, AP30N06D, AP30N06DF, AP30N06Y