AP30H04DF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP30H04DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP30H04DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AP30H04DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30H04DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1390K  cn apm
 ap30h04df.pdf pdf_icon

AP30H04DF

AP30H04DF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30H04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =30A DS DR

 7.1. Size:1390K  cn apm
 ap30h04nf.pdf pdf_icon

AP30H04DF

AP30H04NF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30H04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =30A DS DR

 9.1. Size:637K  1
 ap30h80g.pdf pdf_icon

AP30H04DF

 9.2. Size:590K  1
 ap30h80q.pdf pdf_icon

AP30H04DF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP20G03GD , AP280N10MP , AP2N20MI , AP2N30MI , AP2N7002A , AP2P15MI , AP300N04TLG5 , AP30G03GD , RU7088R , AP30H04NF , AP30N02D , AP30N03DF , AP30N06D , AP30N06DF , AP30N06Y , AP30N10D , AP50P03D .

 

 
Back to Top

 


 
.