AP30H04DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP30H04DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

Аналог (замена) для AP30H04DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP30H04DF даташит

 ..1. Size:1390K  cn apm
 ap30h04df.pdf pdf_icon

AP30H04DF

AP30H04DF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30H04DF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =30A DS D R

 7.1. Size:1390K  cn apm
 ap30h04nf.pdf pdf_icon

AP30H04DF

AP30H04NF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP30H04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =30A DS D R

 9.1. Size:637K  1
 ap30h80g.pdf pdf_icon

AP30H04DF

 9.2. Size:590K  1
 ap30h80q.pdf pdf_icon

AP30H04DF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP20G03GD, AP280N10MP, AP2N20MI, AP2N30MI, AP2N7002A, AP2P15MI, AP300N04TLG5, AP30G03GD, RU7088R, AP30H04NF, AP30N02D, AP30N03DF, AP30N06D, AP30N06DF, AP30N06Y, AP30N10D, AP50P03D