AP3N10BI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3N10BI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3N10BI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для AP3N10BI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N10BI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1217K  cn apm
 ap3n10bi.pdf pdf_icon

AP3N10BI

AP3N10BI 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP3N10BI uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =2.8 A DS DR

 9.1. Size:68K  1
 ap3n1r8mt.pdf pdf_icon

AP3N10BI

AP3N1R8MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the

 9.2. Size:63K  ape
 ap3n1r7cyt.pdf pdf_icon

AP3N10BI

AP3N1R7CYTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 1.88m RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDDDescriptionDDAP3N1R7C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-resi

 9.3. Size:205K  ape
 ap3n1r8p.pdf pdf_icon

AP3N10BI

AP3N1R8PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Fast Switching Characteristic ID4 120AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N1R8 seriesare fromAdvanced Power innovated

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSC8P20AN2 , SSC8P22AN3 , SSC8P22CN2 , AP3410MI , AP3415A , AP35H04NF , AP3N06I , AP3N06MI , 13N50 , AP3N50D , AP3P06AI , AP3P06BI , AP3P06LI , AP3P10MI , AP3P10S , AP40G03NF , AP40H04NF .

History: AP3P10MI | AP3P10S

 

 
Back to Top

 


 
.