AP40H10NF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP40H10NF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для AP40H10NF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40H10NF даташит

 ..1. Size:1188K  cn apm
 ap40h10nf.pdf pdf_icon

AP40H10NF

 9.1. Size:1662K  cn apm
 ap40h04nf.pdf pdf_icon

AP40H10NF

AP40H04NF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40H04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =40A DS D R

Другие IGBT... AP3N50D, AP3P06AI, AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI, AP3P10S, AP40G03NF, AP40H04NF, RFP50N06, ATM06P50TC, ATM10N10SQ, ATM10N65TF, ATM1205PSI, ATM2300NSA, ATM2301PSC, ATM2302NSA, ATM2305PSA