AP40H10NF - аналоги и даташиты транзистора

 

AP40H10NF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP40H10NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 71 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AP40H10NF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP40H10NF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1188K  cn apm
 ap40h10nf.pdf pdf_icon

AP40H10NF

AP40H10NF 100V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40H10NF uses advanced APM-SGT II technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 100V I =40A DS DR

 9.1. Size:1662K  cn apm
 ap40h04nf.pdf pdf_icon

AP40H10NF

AP40H04NF 40V N+N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP40H04NF uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = 40V I =40A DS DR

Другие MOSFET... AP3N50D , AP3P06AI , AP3P06BI , AP3P06LI , AP3P10MI , AP3P10S , AP40G03NF , AP40H04NF , IRF2807 , , , , , , , , .

History: AP40H04NF | AP35H04NF | AP3P06AI | AP3P06LI

 

 
Back to Top

 


 
.