ATM06P50TC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: ATM06P50TC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 542 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для ATM06P50TC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ATM06P50TC даташит
Другие IGBT... AP3P06AI, AP3P06BI, AP3P06LI, AP3P10MI, AP3P10S, AP40G03NF, AP40H04NF, AP40H10NF, SI2302, ATM10N10SQ, ATM10N65TF, ATM1205PSI, ATM2300NSA, ATM2301PSC, ATM2302NSA, ATM2305PSA, ATM2310NSA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt

