AP5N30D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP5N30D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 58.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 43 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP5N30D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5N30D даташит

 ..1. Size:1246K  cn apm
 ap5n30d.pdf pdf_icon

AP5N30D

AP5N30D 300V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP5N30D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Gener

Другие IGBT... ATM2302NSA, ATM2305PSA, ATM2310NSA, ATM2320KNSA, AP4959A, AP5N15MSI, AP5N20D, AP5N20D-H, STP65NF06, ATM2320KNSQ, ATM2602NSG, ATM2604KNSG, ATM2N65TD, ATM3003PSA, ATM3400NSA, ATM3401APSA, ATM3401PSA