AP7N50D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP7N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP7N50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP7N50D даташит

 ..1. Size:1348K  cn apm
 ap7n50d.pdf pdf_icon

AP7N50D

AP7N50D 500V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP7N50D is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. Genera

Другие IGBT... ATM3400NSA, ATM3401APSA, ATM3401PSA, AP6H03S, AP6N03LI, AP6N03SI, AP6N04SI, AP70P03NF, AOD4184A, AP80P06NF, AP20P02BF, AP20P02D, AP20P02SI, AP20P03D, AP20P03DF, AP20P04D, AP220N08TLG1