AP2222D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP2222D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0175 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для AP2222D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2222D даташит

 ..1. Size:1224K  cn apm
 ap2222d.pdf pdf_icon

AP2222D

AP2222D 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The AP2222D uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V =20V I =50A DS D R

Другие IGBT... AP20P02BF, AP20P02D, AP20P02SI, AP20P03D, AP20P03DF, AP20P04D, AP220N08TLG1, AP220N10MP, 20N60, AP25G02NF, AP25G03GD, AP25G04GD, AP25N04D, AP25N04S, AP4406A, AP4406B, AP4407A